سامسونگ در جریان اعلام درآمد فصل سوم 2023، از آمادگی برای تولید انبوه تراشه‌ها با نسل دوم لیتوگرافی 3 نانومتری و نسل چهارم لیتوگرافی 4 نانومتری خود در نیمه دوم 2024 خبر داد.
SF3 نسل دوم فرایند ساخت 3 نانومتری سامسونگ محسوب می‌شود که ظاهراً بهبود چشمگیری نسبت به نسل اول، SF3E، خواهد داشت. این لیتوگرافی حق انتخاب بیشتری را برای عرض کانال‌های ترانزیستورهای GAA یا Gate All Around در اختیار مشتریان قرار می‌دهد.
نسل اول لیتوگرافی 3 نانومتری سامسونگ اواخر سال گذشته میلادی از راه رسید و تنها برای ساخت تراشه‌های استخراج رمزارز مورد استفاده قرار گرفت. درحالی‌که سامسونگ عملکرد SF3 را با SF3E مقایسه نکرده، اما به کاهش 34 درصدی مصرف انرژی و کاهش 21 درصدی سطح نسبت به SF4 با فرکانس و تعداد ترانزیستور یکسان اشاره کرده است. همچنین با مصرف انرژی یکسان، فرایند SF3E نسبت به SF4 تا 22 درصد عملکرد بهتری خواهد داشت.
به گفته سامسونگ، فرایند ساخت SF4X برای مواردی مانند CPU و GPU دیتاسنترها توسعه یافته است. این لیتوگرافی نسبت به SF4، نسل دوم لیتوگرافی 4 نانومتری سامسونگ، تا 10 درصد عملکرد بهتری دارد و همچنین 23 درصد انرژی کمتری مصرف می‌کند.
طبق شایعات، AMD از لیتوگرافی SF4X سامسونگ برای برخی تراشه‌هایش استفاده خواهد کرد؛ البته هنوز نمی‌توان چنین موضوعی را تأیید کرد. انتظار می‌رود فرایند SF3 توسط خود سامسونگ برای اگزینوس 2500 مورد استفاده قرار بگیرد؛ تراشه‌ای که قدرت سری گلکسی S25 را تأمین خواهد کرد.
- عرفان رضایی
- آبان 13, 1402
- 39 بازدید
